报告题目：从“自旋电子学”到“磁子学”

报告嘉宾：韩秀峰 中国科学院物理研究所 研究员

报告时间：2025年4月15日 19:00

报告地点：国际学术大讲堂

主持人：刘寒雨

报告简介

自旋电子学和磁子学将对新一代信息科学技术的发展起到可持续的推动作用。该报告将简述“自旋电子学”中隧穿磁电阻(TMR)和量子阱共振隧穿磁电阻(QW-TMR)等自旋量子效应、到“磁子学”中磁子阀效应(MVE)和磁子结效应(MJE)等新奇磁子量子效应研究及其在自旋器件方面的应用。如：磁随机存储器(MRAM)、自旋逻辑、磁敏传感器、自旋纳米振荡器/微波探测器、自旋随机数字发生器、自旋共振隧穿二极管、自旋发光二极管及新型磁子发生器/探测器、磁子阀、磁子结和磁子晶体管等，可为计算机、物联网、人工智能、工业与民用、航空航天、海空探测、心磁脑磁成像与医疗检测等技术的可持续发展奠定物理与器件基础。

报告人简介

韩秀峰，中国科学院物理研究所研究员；欧洲科学院院士。1984年兰州大学毕业、1993年在williamhill中国官网获博士学位。1998-2002年先后在日本、美国和爱尔兰等从事自旋电子学研究。2003年获国家杰出青年基金资助；2007和2010年获国家基金委创新研究群体基金资助；2007年入选“新世纪百千万人才工程国家级人选”。现任国际学术期刊JMMM副主编。主要从事自旋电子学、磁子学和磁学研究；发表SCI学术论文500余篇；获中国发明和国际专利授权110项；有国际学术会议邀请报告70余次；主编《自旋电子学导论》。迄今为止率领其团队与合作者发现、提出和实验观测到10种新奇自旋量子效应，包括：量子阱共振隧穿磁电阻(QW-TMR)、自旋相关库伦阻塞磁电阻(CBMR)、磁子阀效应(MVE)、磁子结效应(MJE)、磁子阻塞效应(MBE)、磁子非局域自旋霍尔磁电阻(MNSMR)、磁子共振隧穿(MRT)和磁子共振传输(MRT)效应、磁子转移力矩(MTT)效应、磁子辅助的电流拖拽(MECD)效应、磁子趋肤效应(MSE)等。研制出10余种新型自旋电子学原型器件，包括：第二代纳米环和纳米椭圆环磁随机存储器(STT-MRAM)；纳米环自旋振荡器/微波探测器、纳米环自旋随机数字发生器、非易失性多功能可编程SOT自旋逻辑、第三代SOT-MRAM磁随机存储器、SOT概率可调真随机数字发生器、SOT-MTJ受限玻尔兹曼机、自旋共振隧穿二极管、自旋发光二极管；TMR磁电阻磁敏传感器中试芯片；磁子发生器/探测器、磁子阀、磁子结和磁子晶体管等。获2013年北京市科学技术一等奖、2018年亚洲磁学联盟奖(AUMS Award 2018)；2024年入选欧洲科学院(European Academy of Sciences)外籍院士。

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